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超紧凑薄型封装的高性能MOSFET飞兆万芳

发布时间:2020-02-14 12:00:03 阅读: 来源:消防泵厂家

超紧凑、薄型封装的高性能MOSFET(飞兆)

这些MicroFET MOSFET采用飞兆半导体性能先进的PowerTrench MOSFET工艺技术,能够实现非常低的RDS(ON)、总体栅极电荷(QG) 和米勒电荷(QGD),从而获得出色的传导和开关性能及热效率。相比传统的MOSFET封装,其先进的MicroFET封装提供了出色的功耗和传导损耗特性。

飞兆半导体提供业界最广泛的具有增强热性能的超紧凑薄型1.6mm x 1.6mm 和2mm x 2mm MicroFET器件。这些易于使用、节省空间的高性能MOSFET是便携应用的理想选择。

产品编号

封装

拓扑

典型便携应用

单价 (订购1000个)

FDME1023PZT

MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm

双P沟道

电池充电

0.35美元

FDME1034CZT

MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm

互补对(Complementary Pair)

DC-DC转换、带有电平转移的负载开关

0.35美元

FDFME2P823ZT

MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm

单P沟道 +

肖特基二极管

电池充电

0.34美元

FDFME3N311ZT

MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm

单N沟道 + 肖特基二极管

升压开关

0.34美元

FDME1024NZT

MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm

双N沟道

DC-DC转换、基带开关

0.35美元

FDME510PZT

MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm

单P沟道

负载开关、电池开关

0.33美元

FDME410NZT

MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm

单N沟道

负载开关

0.33美元

供货:现提供样品。交货期:收到订单后12周

产品的 PDF 格式数据表可从此网址获取:

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME1023PZT.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME1034CZT.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDFME2P823ZT.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDFME3N311ZT.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME1024NZT.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME410NZT.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME510PZT.pdf

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